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          • 半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史

            半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。以硅(S
            發布時間:2020-03-04   點擊次數:370

          • 單晶定向和切割操作實施辦法

            首先對被測晶體進行初步評價,用XRD常規θ/2θ掃描。理想單晶是光斑所照射的塊狀平面僅出現一種晶面的衍射峰,或者根本掃不到峰。僅有一個很強的主晶粒峰,只是取向有微小差異的,即有晶體缺陷的,可稱為準單晶。否則,就是多晶,但多晶概念太廣泛,有僅
            發布時間:2020-02-17   點擊次數:104

          • 丹東新東方晶體儀器祝大家元旦快樂!

              元旦將至,新年初始,需活動拇指。多發短信至親朋好友以通經脈暖氣血,此乃利國民身心健康之大計也。在這個溫馨幸??鞓访篮玫臅r刻,特別的祝福送給特別的你,祝元旦快樂,事事如意!丹東新東方祝新老客戶元旦快樂!丹東新東方晶體儀器有限公司成立于19
            發布時間:2019-12-31   點擊次數:179

          • 徑向溫度梯度不引起單晶材料位錯的條件

            徑向溫度梯度不引起位錯產生的條件為:在實際的晶體生長中,由于A1203材料熔點很高,為了獲得足夠的化料溫度和維持較高的正常的晶體生長溫度,熱場設計的都比較緊湊,外界條件的波動往往造成溫度梯度的不穩定變化。同時,實際生長晶體中坩堝與晶體的直徑
            發布時間:2019-12-17   點擊次數:93

          • 藍寶石晶體定向外界條件變化容易造成晶格排列錯位

            藍寶石晶體(0001)面和(1120)面的位錯腐蝕坑呈現不同的形狀是由晶體所屬的點群和晶體結構所決定的?;瘜W腐蝕劑的作用就是破壞晶體內部分子或原子間相互作用鍵,鍵合力較小的首先被破壞。而在晶體生長過程中位錯也主要產生在相互鍵合較弱的分子或原
            發布時間:2019-12-02   點擊次數:78

          • 藍寶石晶體定向用KOH進行化學腐蝕

            藍寶石性質穩定,常溫條件下難與酸、堿反應。但在高溫條件下用熔融的KOH會對藍寶石單晶產生化學腐蝕。不同腐蝕時間的腐蝕結果的密度為3.98g/cm3。其化學性能非常穩定,一般不溶于水,不受酸、堿腐蝕。藍寶石的硬度很高,為莫氏硬度9級,僅次于Z
            發布時間:2019-11-18   點擊次數:124

          • 單晶材料藍寶石單晶中的位錯缺陷

            近年來寬禁帶(Eg>2.3V)半導體材料發展十分迅速,稱為第三代電子材料。主要包括SiC、金剛石、GaN等。同一、二代電子材料相比,第三代電子材料具有禁帶寬度大,電子漂移飽和速度高、介電常數小、導熱性能好等特點,單晶材料非常適用于制作抗輻射
            發布時間:2019-11-04   點擊次數:144

          • 硅單晶定向實際生產中晶體中氧濃度參數調整

            在硅單晶的實際生產中,就晶體中氧濃度而言有人建議采用數種方法,以處理生長期間晶體固化速率或生長長度的問題,所述方法包括對坩堝旋轉速度、爐內壓力、大氣流速、靜磁場應用或其數個參數(以下稱作操作參數)組合的調整??赏ㄟ^調整操作參數來調整晶體內的
            發布時間:2019-10-28   點擊次數:195

          • 硅單晶定向中硅材料的位錯

            在實際應用的硅單晶定向材料的晶格中,總是存在著偏離理想情況的各種復雜現象。存在著各種形式的缺陷。按著缺陷,晶體空間分布尺寸的情況可以分為點缺陷、線缺陷、面缺陷等,這里主要討論硅單晶體中的位錯和硅外延片中的層錯。??位錯是硅單晶中主要的一部分
            發布時間:2019-09-10   點擊次數:299

          • 單晶定向中的用解理法進行激光軸直接定向

            硅單晶定向將待測晶錠一端先磨成錐形,在盛有80#金剛砂的研缽中研磨,使錐形端面解理出許多微小的解理面,這些解理面都是按一定的晶向解理出來的,因而包含著結晶學構造中的各種方向特征。對于硅單晶一類的金剛石結構,其一解理面,這是由于這個晶面族之間
            發布時間:2019-09-06   點擊次數:167

          • 激光晶軸硅單晶定向的直接定向法??

            半導體硅單晶是具有一定晶向的,檢測它的方法很多,這里主要介紹硅單晶定向的激光晶軸定向法。激光晶軸定向是在光點定向原理的基礎上發展起來的.所謂光點定向就是在腐蝕坑基礎上,用特制的光點反射儀來代替金相顯微鏡,可以較準確的從光學屏上反射出的圖形位
            發布時間:2019-08-21   點擊次數:287

          • 幾種光學硅單晶定向測量方法

              硅單晶定向測量裝置的光學系統,光軸和結晶方向間的未知夾角可在屏幕上直接以弧度讀出。適當設置一個或多個這樣的光學系統,所有關于單晶建的定向問題都可解決。常見定向問題的有關原理將參照下列幾種定向裝置來論述?! ?.單軸定向測量法  這種方法
            發布時間:2019-08-09   點擊次數:269

          • 硅單晶定向切割工序可包括哪些?

            硅單晶定向切割工序可包括對所述碳化硅晶錠進行加工定位邊,所述定位邊至少包括主定位邊。這樣可以利用所得的主定位作為基準來進行后續切割工序中的定位。在所述切割工序中,以所述晶錠的主定位邊和圓周作為基準,將所述多個晶錠粘接在定型支架上,并將粘接有
            發布時間:2019-07-25   點擊次數:280

          • 碳化硅定向如何提高多線切割機的切割效率

            為了提高多線切割機的切割效率,多線切割機分段切割碳化硅晶體的方法,該方法是根據所切割過程中晶體柱截面不同位置對應的切割長度的不同,變化切割速度,將工作臺的勻速進給切割改為連續、分段不同速度進給,從而保證切割質量的前提下提高了切割效率。鑒于現
            發布時間:2019-07-23   點擊次數:164

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