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          • 藍寶石晶體定向的生長方法

            藍寶石晶體定向的生長方法的兩種方法。1:柴氏拉晶法(Czochralskimethod),簡稱CZ法.先將原料加熱至熔點后熔化形成熔湯,再利用一單晶晶種接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上因溫度差而形成過冷。于是熔湯開始在
            發布時間:2020-11-12   點擊次數:39

          • 單晶材料的生長方法之熔融法?

            起源:單晶是由單個晶體構成的材料,單晶在自然界存在,如金剛石晶體等,也可由人工制成,如鍺和硅單晶等。單晶是由一個晶核長成的,其所有晶胞均呈相同的位向,因而具有各向異性。制備:單晶材料的制備是將物質的非晶態、多晶態或能夠形成該物質的反應物通過
            發布時間:2020-10-29   點擊次數:115

          • 單晶定向便攜式探傷機的特點

              單晶定向設備停止工作后,施工人員應在1分鐘后才可進入現場??刂破鞯氖褂脺囟纫话阍冢?0到+40攝氏度,雨天禁止使用,避免發生危險或損壞儀器,冬季要防止各部件接頭結霜,引起絕緣不良。便攜試射線探傷機拆箱后應根據說明書和裝箱單進行檢查,查
            發布時間:2020-10-14   點擊次數:37

          • 丹東新東方晶體儀器有限公司喜迎國慶、中秋

            丹東新東方晶體儀器有限公司成立于1993年,是一家專注于生產X射線定向儀的專業企業。自公司成立20年以來,為單晶材料生長、加工企業提供了數千臺定向儀器,積累了豐富的生產、服務經驗。產品出口到臺灣、韓國、日本、俄羅斯等地區。在藍寶石晶體加工行
            發布時間:2020-09-30   點擊次數:53

          • 硅單晶定向分析儀會產生輻射嗎?

            單晶定向首先,X射線熒光分析儀自身已帶有X射線熒光分析儀的屏蔽裝置,如防護鉛板和鉛玻璃,其次,管頭有關閘或許防護罩,首要照耀面是密不透風的。至于漏散的有些計量相對于照耀面更小,且波長變長。對人體的損害更小了。假如仍是不放心的話,單位有關設備
            發布時間:2020-09-16   點擊次數:54

          • 單晶定向在水泥工業生產中起到重要作用

            單晶定向X射線晶體分析儀光譜作為慣例剖析手段,始于20世紀50時代,閱歷了50年的開展,現已變成物質組成剖析的辦法之一。X射線晶體分析儀是一種先進的儀器剖析辦法,近一二十年來,跟著科學技能和計算機技能的開展,這種剖析辦法得到日益廣泛的運用。
            發布時間:2020-09-03   點擊次數:24

          • 藍寶石晶體定向的波長有什么特性?

            藍寶石晶體定向的發現在人類歷史上具有重要的意義,它為自然科學和醫學開辟了一條嶄新的道路,為此1901年倫琴榮獲物理學諾貝爾獎金。它的波長比可見光的波長更短(約在0.001~100nm,醫學上應用的X射線波長約在0.001?!?.1nm之間)
            發布時間:2020-08-12   點擊次數:53

          • 單晶硅材料點缺陷包括哪些特點

            點缺陷:單晶材料點缺陷包括空位、間隙原子和微缺陷等??瘴?、間隙原子:點缺陷包括熱點缺陷(本征點缺陷)和雜質點缺陷(非本征點缺陷)。1、熱點缺陷其中熱點缺陷有兩種基本形式:弗侖克爾缺陷和肖特基缺陷。單晶中空位和間隙原子在熱平衡時的濃度與溫度有
            發布時間:2020-07-31   點擊次數:144

          • 半導體單晶定向光學法的使用

            目前,半導體的單晶定向研究和生產所用的材料仍以硅、鍺及化合物半導體為主。它們的結構主要是金剛石,閃鋅礦和纖維礦結構。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同。即具有各向異性的特點。在不同的晶軸方向,它們的物理性能,化學性能差別非常大。例如:晶面的
            發布時間:2020-06-12   點擊次數:146

          • 單晶定向材料的優點和不足有哪些

            單晶定向材料其優點是:(1)碳化硅單載流子器件漂移區薄,開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻,碳化硅功率器件的正向損耗小。(2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。(3)碳化硅有高的熱導率,因此碳化硅
            發布時間:2020-05-29   點擊次數:193

          • 單晶硅片行業近幾年新增產能

            近2-3年,由于單晶Perc電池產業鏈成熟、技術指標不斷超預期所帶來的效率和性價比優勢,帶動電池片廠商紛紛升級和加碼單晶Perc產能,包括對原有單晶電池產線的Perc化升級和新增單晶材料Perc電池產能。2017-2018年是原有單晶電池產
            發布時間:2020-05-11   點擊次數:149

          • 硅單晶材料多型缺陷有什么影響

            提高硅晶體質量,就意味著必須降低晶體中得缺陷,正如單晶材料設備廠家所說,PVT法生長硅單晶需要控制的工藝參數較多,并且這些參數在生長過程中不斷發生變化,所以對晶體中的缺陷控制比較困難。硅單晶的缺陷主要包括微管、多型、位錯、層錯和小角晶界等。
            發布時間:2020-04-16   點擊次數:106

          • 半導體碳化硅單晶高溫化學氣相沉積法

            通常半導體單晶材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因,固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前,晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達到這
            發布時間:2020-04-04   點擊次數:229

          • 碳化硅單晶的結構和性質

            SiC晶體結構具有同質多型的特點,其基本結構是Si-C四面體結構,它是由四個Si原子形成的四面體包圍一個碳原子組成,按相同的方式一個Si原子也被四個碳原子的四面體包圍,屬于密堆積結構。SiC多型晶體的晶格常數a可以看作常數,而晶格常數c不同
            發布時間:2020-03-17   點擊次數:135

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