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丹東新東方晶體儀器有限公司
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首先從原理上看晶體的極性面。
如果根據該cif文件確定晶向，通過R0=1.883、原子序數分別為14/6，帶入原子坐標可得[SiC4]四面體偶極矩主要為沿-c軸方向。而偶極矩方向是負極指向正極，那可以對應Si面為（000-1），C面為（0001）。
但是,硅四面體中Si原子的一個化學鍵的取向<0001>對應的晶面為Si面，碳四面體中C原子的一個化學鍵的取向<000-1>對應的晶面為C面。
從c方向的垂直面將該方向的Si-C鍵分開，Si的面就是硅面，C的面就是碳面。
Si面為（0001），C面為（000-1）。畢竟Cif文件的坐標系只需要轉一下就行。
標準晶圓就是（0001）有幾度偏角指向（11-20）。偏角用于臺階流生長碳化硅。如果生長其他的，比如GaN，可以無偏角。
