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          碳化硅極性的計算

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          碳化硅極性的計算

          發布日期:2021-03-03 00:00 來源:http://www.webdev3000.com 點擊:

          首先從原理上看晶體的極性面。

          如果根據該cif文件確定晶向,通過R0=1.883、原子序數分別為14/6,帶入原子坐標可得[SiC4]四面體偶極矩主要為沿-c軸方向。而偶極矩方向是負極指向正極,那可以對應Si面為(000-1),C面為(0001)。

          但是,硅四面體中Si原子的一個化學鍵的取向<0001>對應的晶面為Si面,碳四面體中C原子的一個化學鍵的取向<000-1>對應的晶面為C面。

          從c方向的垂直面將該方向的Si-C鍵分開,Si的面就是硅面,C的面就是碳面。

          Si面為(0001),C面為(000-1)。畢竟Cif文件的坐標系只需要轉一下就行。

          標準晶圓就是(0001)有幾度偏角指向(11-20)。偏角用于臺階流生長碳化硅。如果生長其他的,比如GaN,可以無偏角。


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