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丹東新東方晶體儀器有限公司
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早在1824年，瑞典科學家Berzelius(1779一1848)在人工合成金剛石的過程中就觀察到了SiC的存在，但是因為天然的SiC單晶極少，當時人們對SiC的性質幾乎沒有什么了解。
中文名碳化硅晶體，外文名silicon carbide (SiC) single crystal。結構致密排列的兩個亞晶格組成，由美國的Cree公司、通用電子公司研發。
直到1885年，Acheson首次生長出SiC晶體之后，人們才開始對SiC的特性、材料制備方法及應用前景等多方面開始了深入研究。
SiC作為C和Si穩定的化合物，其晶格結構由致密排列的兩個亞晶格組成，每個Si(或C)原子與周邊包圍的C(Si)原子通過定向的強四面體sp3鍵結合，雖然SiC的四面體鍵很強，但層錯形成能量卻很低，這一特點決定了SiC的多型體現象，已經發現SiC具有250多種多型體，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同。Z常見的多型體為立方密排的3C-SiC和六角密排的4H、6H-SiC。不同的多型體具有不同的電學性能與光學性能。SiC的禁帶寬度為Si的2-3倍，熱導率約為Si的4.4倍，臨界擊穿電場約為Si的8倍，電子的飽和漂移速度為Si的2倍。SiC的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件的優選材料，可用于地面核反應堆系統的監控、原油勘探、環境監測及航空、航天、雷達、通訊系統和大功率的電子轉換器及汽車馬達等領域的極端環境中。另外，采用SiC所制備的發光二極管的輻射波長可以覆蓋從藍光到紫光的波段，在光信息顯示系統及光集成電路等領域中具有廣闊的應用前景。
