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丹東新東方晶體儀器有限公司
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區熔（Floatzone，簡稱FZ）單晶硅，因其接近零缺陷的特征，一直被作為Z完美的硅晶體而存在，其有效體少子壽命可高達10 ms。為了盡量減少體復合的干擾，充分體現電池結構設計的貢獻，科學家們往往采用FZ單晶硅片作為襯底來制備高效單晶硅電池。
鑄錠單晶，又稱類單晶或準單晶，是一種采用單晶硅塊作為籽晶誘導、使用定向凝固技術來生長無晶界硅晶體的方法。類單晶雖擁有單晶的外觀，但硅片體內的位錯和雜質含量仍非常高。
在2011年，類單晶火爆整個光伏硅晶體行業，但終因其無法徹底克服的帶有不同晶向瑕疵的外觀以及缺陷快速增殖的內在因素，加上其需使用較昂貴的單晶硅塊籽晶導致的成本劣勢，Z終未能成功在行業內轉化推廣。鑄錠多晶，制備技術簡單，幾乎擁有所有種類的缺陷，如高密度位錯、高密度晶界、高濃度的金屬和碳雜質等，雖具有低的晶體品質但同時也兼具低成本優勢，以超過30GW的產能優勢成為國內晶硅市場的主流。單晶定向。
