半導體單晶定向光學法的使用

發布日期：2020-06-12 00:00 來源：http://www.webdev3000.com 點擊：

目前，半導體的單晶定向研究和生產所用的材料仍以硅、鍺及化合物半導體為主。它們的結構主要是金剛石，閃鋅礦和纖維礦結構。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同。即具有各向異性的特點。在不同的晶軸方向，它們的物理性能，化學性能差別非常大。例如：晶面的法向生長速度，腐蝕速度。雜質的擴散速度，氧化速度，以及晶面的解理特性等等，都由于晶體的取向不同而不同。

況且在科研和生產中，由于我們制造的器件使用目的不同。往往也要求我們所用基片的半導體單晶材料的晶向不同。所以我們需首先對晶軸進行定向。

單晶定向哪家好

測定晶體取向有解理法，X 射線勞埃法，X 射線衍射法和光學反射圖象法等多種方法。其中光學反射圖象法是目前生產中廣泛使用的方法。這個方法較為簡便，能直接進行觀測，而且在測定低指數晶面時精確度相當好。從晶體外形確定晶向，由于硅、鍺的金剛石結構以及 GaAs 的閃鋅礦結構的特點，晶體在沿某一晶向生長時，單晶的外表將規律的分布著生長棱線。沿方向生長的硅單晶錠有六個或三個對稱分布的棱線。沿方向生長的硅單晶錠有四個對稱分布的棱線。方向生長的硅單晶錠則有四個不對稱分布的棱線。

晶體表面的這些棱線都是由于晶體生長過程中，生長Z慢的晶面族中各晶面在交界處形成的。這是由于晶面是金剛石晶體的密排面，晶體表面有取原子密排面的趨勢。也就是說，在晶體生長過程中不同晶面的生長速率不同。