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丹東新東方晶體儀器有限公司
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碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半導體材料，也是元素周期表中V族元素中一種固態碳化物單晶材料。SiC由碳原子和硅原子組成，但其晶體結構具有同質多型體的特點。在半導體領域常用的是4H-SiC和6H-SiC兩種，SiC與其它半導體材料具有相似的特性，4H-SiC的飽和電子漂移速度是Si的兩倍，從而為SiC器件提供了較高的電流密度和較高的跨導。高擊穿特性使SiC功率器件和開關器件具有較Si和GaAs器件高3-4倍的擊穿電壓，高的熱導率和耐高溫特性保證了SiC器件具有較高的功率密度及高溫工作的可靠性。
碳化硅（SiC）器件
1、SiC二極管
2、SiC光電器件
3、SiC JFET
4、SiC晶體管
5、SiC晶閘管等
碳化硅定向材料和它制成的功率器件的特點：
碳化硅Sic的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶）,達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm,其導熱率是硅的3.3倍，為49w/cm.k。
它與硅半導體材料一樣，可以制成單晶定向儀、結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。
