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          硅單晶定向中晶體上拉方向氧濃度不均勻的問題

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          硅單晶定向中晶體上拉方向氧濃度不均勻的問題

          發布日期:2019-10-21 08:43 來源:http://www.webdev3000.com 點擊:

          硅晶片內的氧通過捕捉在裝置生產過程中混入晶片內的污染原子(內在的吸氣作用)而具有改良器件特性的作用。所以,應將晶體定徑部分(crystal fixed diameter part)整個區域內硅單晶中的氧濃度限制在給定的范圍內。

          混入硅單晶內的氧源自浸入熔融硅中的石英坩堝的表面。在此情況下,氧經由熔融硅混入晶體內。在傳統CZ法中,發生過沿晶體上拉方向氧濃度不均勻的問題。

          硅單晶定向據認為原因如下

          (1)在晶體生長期間由于坩堝內的熔體減少,石英坩堝與熔體的接觸面積改變,

          (2)由于上拉期間爐周邊環境引起的溫度變化使氧從坩堝流出的量改變

          (3)由于熔體流動狀態的變化使氧進入晶體的輸送效率改變。

          但是,迄今仍尚未報道定量實驗證明可支持上述三個原因,所以該三個原因對晶體濃度的貢獻硅單晶定向仍不清楚。


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