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          觀測硅單晶定向晶體中缺陷的實驗方法

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          觀測硅單晶定向晶體中缺陷的實驗方法

          發布日期:2019-09-23 09:00 來源:http://www.webdev3000.com 點擊:

          目前用來觀測硅單晶定向中缺陷的實驗方法很多,金相腐蝕法就是其中一種,這種方法操作簡單,直觀,是晶體缺陷觀察的有力工具。

          晶體中的缺陷一般僅涉及幾層原子的排列畸變,因此用普通顯微鏡不能直接觀察到它們,更不能發現晶體內部的缺陷。但由于缺陷附近的畸變區具有較高的能量,從而具有較大的化學活動性。因此,當晶體遭受化學腐蝕液的侵蝕時,缺陷部位常比完整區域具有更快的腐蝕速度,并形成腐蝕坑。這些腐蝕坑的尺寸可達數微米,于是可以用普通的金相顯微鏡來觀察它們,通過觀察腐蝕坑的形狀和數目可以了解晶體中缺陷的類型和密度。

          單晶定向晶體面上位錯和硅外延片面上層錯的腐蝕顯示。

          對于晶面硅單晶用希爾腐蝕液腐蝕后,它們的位錯腐蝕坑呈黑三角形。對于晶向沒有偏離時,刃位錯可以看出三角形,螺位錯可看出螺線;若晶向略有偏離晶向時,腐蝕坑圖形也會發生變化。

          硅處延片面用希爾腐蝕液腐蝕后,它的層錯腐蝕坑呈正三角形或為一直角或相互60°角。


          硅單晶定向

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