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丹東新東方晶體儀器有限公司
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單晶定向生長是發生在固-液（或晶-液）界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態，絕大部分熔體處于過熱態（溫度高于Te ）。已生長出的晶體溫度又需低于Te。就是說整個體系由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷變化。過熱與過冷區的界面為等溫區。此面與晶體生長界面間的熔體為過冷熔體。且過冷度沿晶體生長反方向逐漸增大。晶體的溫度低。這種由晶體到熔體方向存在的溫度梯度是熱量輸運的必要條件。熱量由熔體經生長面傳向晶體，并由其轉出。
單晶定向的技術特點：
1、 操縱簡樸、靈活、丈量精度高、電路不亂可靠。
2、 采用雙晶衍射法，進步了丈量精度。
3、 角度采用數字顯示，采用入口編碼器，觀察直觀，減少讀數誤差。
4、 顯示可在任一位置凋零，便于顯示晶體片角度偏差值。
5、 具有峰值放大的特殊積分器，采用高壓模塊器件，進步檢測精度。
6、 模塊化的電子線路，射線管高壓電纜一體結構，使用維修簡樸。
7、 公道的結構設計，有效的防止了X射線晶體定向儀對人體的危害。
8、 可配備多種附件，用于丈量大小不同外形的樣品。
